O como son generalmente conocidas, memorias
RAM.
La principal diferencia de estas memorias con la memoria ROM de nuestro ordenador es que la capacidad de almacenamiento de éstas es limitado. De hecho pierden la información acumulada durante la última sesión cuando el suministro eléctrico se cierra, por lo que su contenido puede ser escrito y leído tantas veces como sea necesario (sic).
La clasficación de este tipo de memorias va pareja a su evolución en el tempo:
Un SIMM, o de un solo módulo de memoria en línea, es un tipo de módulo
de memoria que contiene la memoria de acceso aleatorio utilizado en los
ordenadores de la década de 1980 a finales de 1990. Se diferencia de una
doble en línea módulo de memoria, la forma más predominante de módulo
de memoria de hoy en día, en que los contactos de un SIMM son
redundantes en ambos lados del módulo. SIMM se estandarizaron según la
norma JESD-21C JEDEC.
La primera variante de SIMM tiene 30 pines y proporciona 8 bits de
datos. Fueron utilizados en AT, 386, 486, sistemas VS Wang Macintosh
Plus, Macintosh II, Quadra, Atari STE y.
Éstos son las diferentes variantes de módulos de memoria SIMM:
- SIMM de 30 pines: Tamaños estándar: 256 KB, 1 MB, 4 MB, 16 MB. Los 30-pin SIMM tienen 12 líneas de dirección, que puede proporcionar un
total de 24 bits de la dirección. Con una anchura de datos de 8 bits,
esto conduce a una capacidad máxima absoluta de 16 MB para los dos
módulos de paridad y sin paridad.
- SIMM de 64 pines: Se hicieron varias tarjetas CPU de Great Valley Productos para el Commodore Amiga utilizan 64-pin SIMM especial. Para los Apple
Macintosh IIfx se fabricaron las 64-pin SIMM de doble puerto, que se utilizaban para permitir la superposición de lectura/ciclos de
escritura.
- SIMM de 72 pines: Tamaños estándar: 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB. Con 12 líneas de dirección, que puede proporcionar un total de 24
bits de la dirección, dos filas de chips, y los 32 bits de datos de
salida, la capacidad máxima absoluta es de 227 = 128 MB.
En las Dual In Line Memory Module, los módulos se disponen en paralelo en uno o ambos lados de la memoria, pero siempre con contactos eléctricos separados,
cada uno independiente del otro.
La ventaja evidente es que la memoria DIMM podía tener hasta el doble de capacidad con la misma tecnología que las memorias SIMM que se venían utilizando hasta entonces. Por si fuera poco, al tener ya los módulos emparejados en un solo chip, permitían trabajar con 64 bits con un sólo módulo,
en vez de los 32 normales de las memorias SIMM, lo que le posibilitaba
trabajar con ordenadores, periféricos y sistemas operativos más
modernos, que requerían 64 bits, y que por tanto hubiesen necesitado un
par de memorias SIMM instaladas de forma simultánea (32 bitsx2) para
poder trabajar.
A pesar de tener una estructura común, había muchos tipos de módulos DIMM, clasificados no sólo según su capacidad (desde 32 mb hasta 512 mb por módulo), sino también según la velocidad de transferencia
(las más comunes eran de 66, 100, 133 o 150 megaherzios, siendo esa
velocidad limitante del rendimiento global del equipo) o del tiempo de acceso a los datos (entre 12 y 8 nanosegundos).
Los principales modelos de módulos DIMM son:
- SDRAM: Synchronous Dynamic Random-Access Memory,con las que el cambio de estado de memoria viene marcado por una señal de
reloj y, de modo que está sincronizada con el bus de sistema del
ordenador. El reloj también permite controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de pipeline --o segmentación-
de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un
patrón de operación más complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una
interfaz de sincronización. El método de segmentación significa que el chip puede
aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de procesar la
anterior. En una escritura de datos, el comando escribir puede ser
seguido inmediatamente por otra instrucción, sin esperar a que los datos
se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos
solicitados aparecen después de un número fijo de pulsos de reloj tras
la instrucción de lectura, durante los cuales se pueden enviar otras
instrucciones adicionales (latencia).
- DDR SDRAM: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, se trata del modelo más utilizado en la actualidad (sic); estos módulos se diferencian de sus hermanos DIMM SDRAM, principalmente, en su mayor número de pines: 184 en las DIMM DDR SDRAM frente a los 168 de las DIMM SDRAM, además de una única muesca en la placa para encajarse en la ranura. El funcionamiento de estos módulos es el siguiente: se envían los datos del proceso que se está realizando dos veces por señal de reloj, una vez en cada extremo de dicha señal, o a la ida y a la vuelta de la señal (ascendente y descendente).
Rambus In Line Memory Module, o módulo de memoria con bus integrado. Este tipo de módulos conforman el estándar DIMM, pero no es compatible pin a pin. Su arquitectura está basada en el requerimiento eléctrico del canal Direct Rambus, un bus de alta velocidad operando a una frecuencia de reloj de 400 MHz, el cual permite una transferencia de datos de 800 MHz. Un canal de dos bytes de ancho se usa para dar un pico de transferencia de datos de 1,6 Gb por segundo. El bus usa las líneas de transmisión características para mantener la alta integridad de la señal. Se pueden usar hasta tres módulos RIMM en una placa base de un PC de escritorio. El canal Rambus se extiende desde el controlador a través de cada módulo RIMM usado de una forma continua hasta que se alcanza la terminación del canal. Los módulos de continuidad de bajo costo se usan para mantener la integración del canal en sistemas que tengan menos de tres módulos RIMM.
Éstas son las variantes de módulos RIMM que existen actualmente:
- DDR2: Double Data Rate tipe 2, éstos son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2
de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el
ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM
tradicional. Este
sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño
buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera
del modulo de memoria, y almacenando 4 bits para
luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Esto causa que las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, perjudicando su rendimiento, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por
parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de
memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.
- DDR3: Éstas son una mejora de las memorias DDR2, pues proporcionan
significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo
que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los
módulos DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo, son físicamente incompatibles debido a una ubicación diferente de
la muesca.
- DDR4: Éstos tienen un total de 288 pines. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias RIMM DDR4 tendrán un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores, voltajes, interfaz física y otras. Sin embargo, su principal ventaja es su tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133
a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y
1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología
descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de
memoria está conectado a un módulo único.
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